资料与项目工具References & project tools

工艺原理、设计工具和加工前检查，按你现在要解决的问题查阅。Process principles, design tools and preparation checks, organized around your next decision.

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玻璃基底上的叉指电极图形概念图 — 结构概念图，非实测图像Concept illustration, not measured data

从一个问题开始读A few starting points

版图文件怎么准备？Preparing a layout

从 GDS / DXF 格式、层号、单位和检查工具开始。Start with GDS / DXF formats, layers, units and checking tools.

金属图形如何留下来？How a metal pattern remains

看剥离的胶形貌、沉积方向与移除过程。Explore the resist profile, deposition direction and lift-off process.

版图与数据Layout & data

软件、格式转换与提交前检查Tools, formats and layout checks

仿真与设计Simulation & design

光学、电磁与器件设计参考Optical, electromagnetic and device references

工艺原理Process principles

曝光、刻蚀、镀膜与材料处理Exposure, etching, films and materials

技术专题Technical topics

材料选择、加工风险与表征方法Materials, process risks and characterization

项目准备Project preparation

需求清单、技术输入与验收约定Briefs, technical inputs and acceptance

工艺参考Process references

官方文档、学习入口与路线梳理Documentation and process planning

资料索引Resource index

先查原理，再结合材料与目标判断适用性。Start with the principle, then assess your material and target.

项目工具Project tool

样品需求整理Sample brief builder

整理材料、版图、关键尺寸、膜层和验收要求。

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加工前检查清单Pre-fabrication checklist

检查项目输入、工艺兼容性与交付条件。

阅读资料Open resource 项目工具Project tool

微纳工艺术语表Fabrication glossary

查阅工艺缩写、材料和常用技术表达。

阅读资料Open resource 项目工具Project tool

项目常见问题Project FAQ

报价、样品准备、沟通和验收的常见问题。

阅读资料Open resource 项目工具Project tool

版图工具与格式转换Layout tools & formats

KLayout、GDSFactory、PHIDL 与 DXF/GDS 提交前检查。

阅读资料Open resource 项目工具Project tool

仿真工具与官方教程Simulation references

FDTD、RCWA、Meep、COMSOL 与设计验证。

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合作流程与交付确认Project workflow

需求澄清、路线评估、资源对接与样品确认。

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ALD 原子层沉积加工ALD starts with the material, thermal window and conformality target.

ALD 原子层沉积加工需求准备：面向高深宽比结构、介质层、钝化层和种子层，整理材料、膜厚、基底、温度、覆盖性与验收方式。

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接触式光刻加工需要准备什么For contact lithography, clarify mask and downstream process first.

接触式光刻加工需求准备：确认掩膜版、基底尺寸、胶厚、最小线宽、对准 mark、曝光面积、后续刻蚀或 Lift-off，再判断是否适合接触式紫外光刻。

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DRIE 深硅刻蚀加工需要准备什么For DRIE, define aspect ratio, open area and sidewall acceptance first.

DRIE 深硅刻蚀加工需求准备：说明硅片规格、目标深度、最小线宽、开口率、掩膜、侧壁角、scallop、背面保护与截面 SEM 验收，再判断深硅刻蚀路线。

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DUV 光刻与 Stepper 加工需要准备什么DUV and stepper lithography depend on CD, overlay and wafer format.

DUV 光刻、Stepper 光刻加工需求准备：确认目标线宽、套刻精度、晶圆尺寸、掩膜版、die 排布、胶厚、后续刻蚀或镀膜和验收方式。

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AFM 表面粗糙度测试AFM surface metrology starts with scan area, mode and statistical definition.

AFM 表面粗糙度测试需求准备：面向薄膜、刻蚀与纳米结构，整理扫描模式、区域、采样点、Ra/Rq 指标、台阶高度、原始数据和验收方式。

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ALD高深宽比共形覆盖：孔槽膜厚与验收ALD conformality in high aspect ratio structures

高深宽比孔槽ALD共形镀膜评估：结构深宽比、前驱体暴露、温度窗口、顶底膜厚与截面验收。

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阳极键合加工Anodic bonding starts with glass chemistry, surface condition and cavity-hermeticity targets.

阳极键合加工需求准备：面向硅-玻璃 MEMS 腔体、微流控与晶圆级封装，整理材料牌号、表面状态、键合温度、电压、对准和气密验收。

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接触角与润湿性测试：表面状态、送样资料与验收Contact-angle and wettability testing

接触角、润湿性与表面能测试需求准备：明确液体、静态或动态角、测点、清洗与等离子历史、样品平整度、图像和数据交付，再匹配表征资源。

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铜电镀与电镀增厚怎么准备For copper electroplating, separate seed, pattern window, thickness evidence and downstream interfaces first.

铜电镀、电镀增厚与电铸类项目需求准备：梳理种子层、图形/开口、目标厚度、均匀性、通孔或沟槽覆盖、测试与后段互连，再匹配可核对的工艺资源。

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MEMS 临界点干燥 CPD：防粘连、湿态交接与验收MEMS critical point drying and stiction control

MEMS 临界点干燥 CPD 需求准备：湿法释放后防粘连、材料与溶剂兼容、载具、湿态转移、小样验证和悬空结构验收。

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DXF 转 GDS 加工前检查DXF to GDS is not just a filename change.

DXF 转 GDS 加工前检查：先确认单位、闭合图形、layer 映射、top cell、最小线宽、对准 mark 和材料工艺说明，再提交微纳加工报价。

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EBL 套刻对准标记设计与交付检查EBL alignment marks

EBL 套刻前如何检查全局与局部对准标记、坐标原点、膜层覆盖和备用标记，并明确套刻误差的测量位置与验收口径。

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电子束曝光充电效应与导电层：材料兼容、送样资料与验收EBL charging and conductive coatings

电子束曝光充电效应与导电层需求准备：绝缘基底、接地、导电层兼容、试片验收和报价交接。

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电子束曝光剂量测试与剂量矩阵：清胶与成形判据、送样资料与验收EBL dose testing and dose matrices

电子束曝光剂量测试与剂量矩阵需求准备：清胶剂量、目标尺寸剂量、试片报告和报价交接。

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电子束曝光写场拼接误差：跨场图形、版图交接与验收EBL field stitching errors

电子束曝光写场拼接误差需求准备：跨场图形连续性、边界试片、检测报告和报价交接。

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电子束曝光邻近效应校正 PEC：剂量测试与交付EBL proximity effect correction

电子束曝光 PEC 邻近效应校正需求准备：版图密度、PSF、胶与基底、剂量测试、重复校正风险和线宽验收。

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EDS 能谱元素分析与面扫EDS elemental mapping starts with the area, target elements and the decision to make.

EDS 能谱元素分析、点扫、线扫与面扫需求准备：整理样品材料、目标元素、测区、截面制样、空间分辨率、定量方式和原始数据交付。

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电子束蒸发镀膜加工E-beam evaporation starts with the material stack, directionality and lift-off boundary.

电子束蒸发镀膜加工需求准备：面向金属电极、粘附层和光学薄膜，整理材料栈、膜厚、基底、温度、Lift-off、均匀性与验收方式。

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电子束直写与电子束曝光加工For electron-beam direct writing, clarify layout and acceptance first.

电子束曝光加工和电子束直写需求准备：整理 GDS/DXF、最小线宽、线距、曝光面积、胶型、套刻 mark、基底和 SEM 验收方式，再判断 EBL 工艺路线。

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椭偏仪膜厚测试Ellipsometry starts with the material stack, optical model and measurement map.

椭偏仪膜厚测试需求准备：面向介质、半导体与聚合物薄膜，整理材料栈、波长范围、膜厚范围、光学模型、测点、背面反射和数据交付方式。

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FIB 聚焦离子束截面制样FIB cross-sectioning starts with an exact site, direction and inspection question.

FIB 聚焦离子束截面制样需求准备：面向微纳结构截面、失效定位和 TEM 薄片，整理目标位置、样品材料、保护层、截面方向与验收图像。

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倒装焊封装怎么准备For flip chip, define bumps, alignment, thermal budget and acceptance together.

倒装焊（Flip Chip）与焊凸点封装需求准备：整理芯片焊盘、凸点金属与 pitch、基板或中介层、对准、回流温度、底填、翘曲、电学与可靠性验收，再匹配封装资源。

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四探针方阻测量与薄膜电阻率测试：送样与验收Four-point probe sheet resistance and thin-film resistivity

四探针方阻测量送样指南：薄膜电阻率换算、基底导电性、探针接触、几何修正、点位图与报告验收。

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GDS 版图检查An openable GDS is not automatically fabrication-ready.

GDS 版图检查入口：微纳加工投递前先确认 top cell、layer/datatype、单位、最小线宽、间距、对准 mark、阵列引用、有效面积和工艺说明。

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玻璃微流控芯片加工与键合Glass microfluidic chips depend on channels, ports, bonding and leak testing.

玻璃微流控芯片加工和键合需求准备：面向玻璃微通道、硅玻璃键合、打孔封接和泄漏测试，整理通道尺寸、深度、接口、材料和洁净度要求。

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霍尔效应测试：载流子浓度与迁移率：送样与验收Hall effect testing: carrier density and mobility

霍尔效应测试送样与验收指南：材料膜栈、接触电极、样品几何、膜厚、磁场温度条件及多载流子分析边界。

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HMDS 光刻胶增粘处理：材料兼容、送样资料与验收HMDS photoresist adhesion priming

HMDS 光刻胶增粘处理需求准备：涂胶前脱水、材料与光刻胶兼容、温度限制、试片验收和报价交接。

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ICP 刻蚀加工：材料、掩膜与侧壁要求ICP etching starts with the material system, mask and sidewall target.

ICP 刻蚀加工需求准备：说明硅、二氧化硅、氮化硅、二氧化钛等材料堆栈，以及刻蚀深度、掩膜、选择比、侧壁、粗糙度和 SEM 验收要求。

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ICP、RIE 与 DRIE 刻蚀需要准备什么For ICP, RIE and DRIE, clarify material, depth and mask first.

ICP 刻蚀、RIE 刻蚀和 DRIE 深硅刻蚀需求准备：整理材料堆栈、目标深度、掩膜、选择比、侧壁形貌、过刻和 SEM 验收，再判断刻蚀路线。

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离子束刻蚀（IBE）加工Ion beam etching starts with material stack and pattern-transfer feasibility.

离子束刻蚀（IBE）加工需求准备：面向金属、磁性材料、光学薄膜和难反应刻蚀材料，整理材料栈、目标深度、侧壁、掩膜、均匀性和验收方式。

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离子注入掺杂加工Ion implantation starts with species, energy, dose and activation.

离子注入掺杂加工需求准备：面向硅及半导体材料，整理离子种类、能量、剂量、倾角、掩膜、热预算、激活退火与电学验收。

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开尔文四线电阻测试与低阻测量：送样与验收Kelvin four-wire resistance and low-resistance testing

开尔文四线电阻测试送样指南：Force/Sense 接线、焊盘与探针可达性、电流与限流、热电势、低阻测量报告和验收。

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KLayout 版图检查要看什么After opening GDS in KLayout, do not send it out too quickly.

KLayout 版图检查入口：提交 GDS 前先确认 top cell、layer、单位、最小线宽、间距、闭合图形、对准 mark、加工面积和截图说明。

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激光直写与光刻加工需要准备什么For LDW and lithography, route by CD, area and mask needs.

激光直写、光刻加工、接触式光刻和 DUV 光刻需求准备：整理版图、最小线宽、曝光面积、套刻 mark、掩膜版、基底和验收方式，再判断 LDW、Contact UV、Stepper 或 DUV 路线。

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Lift-off 金属电极加工需要准备什么For lift-off electrodes, "deposit gold" is not enough.

Lift-off 金属电极加工需求准备：确认金属材料、膜厚、附着层、线宽、胶厚、蒸发或溅射方式、去胶风险、SEM 或电学验收方式。

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LPCVD 低压化学气相沉积加工LPCVD starts with material, thermal budget and film stress.

LPCVD 低压化学气相沉积加工需求准备：面向低压氮化硅、多晶硅等薄膜，整理基底、膜厚、温度预算、应力、均匀性与验收方式。

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磁控溅射镀膜加工Magnetron sputtering starts with the material system, adhesion and film-performance boundary.

磁控溅射镀膜加工需求准备：面向金属、氧化物、氮化物和功能薄膜，整理基底、靶材、膜厚、附着、应力、均匀性、温度与验收方式。

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MEMS 加工需要准备什么MEMS fabrication needs release, packaging and test planning, not only etch feasibility.

MEMS 加工需求准备：面向硅深刻蚀、薄膜、悬臂梁、腔体、通孔、键合封装和测试验收，整理结构尺寸、材料栈、片径、深宽比和交付要求。

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超表面加工需要准备什么For metasurface fabrication, translate optics into process inputs first.

超表面加工需求准备：面向超透镜、光栅、偏振器件和亚波长阵列，整理 GDS 版图、周期、线宽、材料膜厚、刻蚀深度、SEM 和光学验收方式。

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微纳加工需求怎么判断Micro-nano fabrication starts with route judgment.

微纳加工需求判断入口：整理材料、版图、关键尺寸、膜层、刻蚀深度、SEM 验收和后续封装测试，再匹配光刻、刻蚀、镀膜、Lift-off、表征等工艺路线。

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微流控加工需要准备什么Microfluidic fabrication needs ports, sealing and testing defined beyond channel layout.

微流控加工需求准备：面向 PDMS、玻璃、硅基微通道、SU-8 模具、键合封装和泄漏测试，整理通道尺寸、入口出口、材料、压力和交付形式。

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MOS电容C-V测试与栅介质表征：送样与验收MOS capacitor C-V testing and gate dielectric characterization

MOS电容C-V测试送样指南：电极面积、衬底接触、频率与扫压条件、漏电和串联电阻风险，以及原始曲线与参数提取验收。

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纳米压印母版加工需要准备什么For nanoimprint masters, clarify geometry, area, replication and acceptance.

纳米压印母版加工需求准备：确认周期、线宽、深度、面积、母版材料、脱模层、残胶层、复制材料、缺陷验收和后续刻蚀或光学测试。

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纳米压痕硬度与弹性模量测试Nanoindentation starts by matching indentation depth, film thickness and statistics.

纳米压痕硬度、弹性模量与载荷位移测试需求准备：整理材料栈、膜厚、表面粗糙度、压头、载荷、压入深度、点阵和统计交付。

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氧等离子去残胶 Descum：材料兼容、送样资料与验收Oxygen plasma descum

氧等离子去残胶 Descum 需求准备：显影残胶、光刻胶与材料兼容、胶厚损耗、关键尺寸、试片验证和报价交接。

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PECVD 薄膜沉积加工PECVD starts with the film, thermal budget and acceptance metrics.

PECVD 薄膜沉积加工需求准备：面向 SiO2、SiNx 等介质膜与钝化膜，整理基底、膜厚、温度、应力、折射率、均匀性和验收方式。

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光致发光 PL 测试Photoluminescence testing starts with excitation, emission range and sample scale.

光致发光 PL 测试需求准备：整理材料体系、激发波长与功率、发射范围、温度、测点或 mapping、对照组及原始光谱交付。

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光掩膜版制作与铬版加工需要准备什么For photomasks, align layout, polarity and acceptance before fabrication.

光掩膜版制作、铬版加工需求准备：确认版图格式、尺寸单位、最小线宽、极性、基板规格、套刻标记、数量与光刻验收，再判断掩膜路线。

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光刻胶边缘去胶 EBR：材料兼容、送样资料与验收Photoresist edge bead removal (EBR)

光刻胶边缘去胶 EBR 需求准备：去胶范围、有效区保护、材料兼容、试片验收和报价交接。

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光刻胶旋涂膜厚：选胶、试片与验收Photoresist spin-coating thickness

光刻胶旋涂膜厚评估：胶型号、基底、目标厚度、转速曲线、软烘、测厚位置及试片验收资料。

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光刻胶去胶与灰化：材料兼容、送样资料与验收Photoresist stripping and ashing

光刻胶去胶、去胶液剥离与氧等离子灰化的需求准备：材料兼容、残胶风险、试片验证、验收与报价交接。

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等离子表面活化怎么准备For plasma activation, define the interface, timing window and acceptance first.

等离子表面活化、氧等离子亲水处理与键合前表面处理的需求准备：整理材料栈、污染历史、目标润湿性、时效窗口、遮蔽区域、试片与验收方式。

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PMMA电子束胶显影：显影条件、送样资料与验收PMMA resist development

PMMA电子束胶显影需求准备：MIBK/IPA显影液、胶型号与胶厚、试片条件、残胶与线宽检查、报价和验收。

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探针台 I-V 电学测试：样品、接触与验收准备Probe-station I-V electrical testing

探针台 I-V 电学测试需求准备：明确器件结构、焊盘与探针、偏压电流范围、扫描方式、环境、保护限值、数据交付和验收，再匹配测试资源。

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台阶仪膜厚与台阶高度测试Profilometer thickness measurement starts with a real step, scan direction and stylus conditions.

台阶仪膜厚与台阶高度测试需求准备：整理样品材质、台阶来源、扫描方向和长度、探针力、量程、测点、重复性与原始轮廓交付。

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拉曼光谱测试Raman spectroscopy starts with the material, target peaks and laser conditions.

拉曼光谱测试需求准备：整理材料体系、目标峰位、激光波长、功率、积分时间、测点或面扫范围、对照组和原始谱图交付。

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RTA 快速热退火加工RTA starts with peak temperature, dwell time and the material thermal budget.

RTA 快速热退火加工需求准备：面向掺杂激活、欧姆接触和薄膜结晶，整理材料栈、峰值温度、保温时间、气氛、升降温与验收指标。

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RCA 晶圆清洗：SC-1、SC-2 与送样准备RCA wafer cleaning starts with cleanliness class, exposed materials and the next process.

RCA 晶圆清洗需求准备：区分 SC-1、SC-2、HF dip 与去胶，整理晶圆洁净等级、暴露材料、前道历史、目标工艺和验收边界。

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RDL 再布线层怎么准备For RDL, put pads, material stack and electrical acceptance into one handoff.

RDL 再布线层（Redistribution Layer）需求准备：先整理芯片焊盘、介质与金属堆栈、线宽线距、凸点或 I/O、钝化开口、翘曲和电学验收，再匹配晶圆级封装资源。

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RIE 刻蚀与反应离子刻蚀加工RIE starts with matching the material, mask and target profile.

RIE 刻蚀与反应离子刻蚀加工需求准备：说明材料堆栈、目标深度、掩膜、选择比、侧壁、过刻、样品尺寸和 SEM 验收，再判断等离子体刻蚀路线。

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SEM 表征怎么看微纳加工结果SEM metrology is more than a nice image.

SEM 表征和微纳加工验收入口：明确俯视、截面、倾斜角、比例尺、关键尺寸、侧壁、残胶、膜层和测试数据，避免只凭展示图判断加工结果。

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半导体漏电流测试与低电流I-V测试：送样与验收Semiconductor leakage current and low-current I-V testing

半导体漏电流测试送样指南：器件接线、偏压与限流、系统漏电、等待时间、环境条件和低电流I-V曲线验收。

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硅片热氧化加工Silicon thermal oxidation starts with ambient, target thickness and furnace compatibility.

硅片热氧化加工需求准备：面向干氧、湿氧 SiO2，整理晶圆规格、目标氧化层厚度、温度预算、洁净等级、掩膜与验收方式。

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SU-8 厚胶光刻与母模加工SU-8 thick-resist lithography needs thickness, aspect ratio and release needs defined first.

SU-8 厚胶光刻和母模加工需求准备：面向微流控母模、MEMS 厚胶结构、微柱阵列和高深宽比图形，整理胶厚、线宽、显影、基底和脱模要求。

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TEM 透射电镜制样与测试TEM preparation starts by fixing the target interface, lift-out location and analysis question.

TEM 透射电镜制样与测试需求准备：整理目标界面、截面位置、材料栈、FIB 薄片要求、成像模式、选区衍射、EDS/EELS 和原始数据交付。

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临时键合与解键合怎么准备For temporary bonding and debonding, define what is supported, what backside steps it must survive, and how clean separation will be verified.

临时键合与解键合需求准备：先明确器件片、载片、键合材料、热预算、背面工序、解键合方式、残胶与翘曲边界，再匹配可核对的工艺资源。

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玻璃通孔 TGV 加工需求怎么准备For TGV, turn glass via formation, wall metallization and two-side interconnect into an acceptance-ready process chain.

玻璃通孔（TGV）加工需求准备：先明确玻璃材料、板厚、通孔直径与阵列、孔壁形貌、金属化路线、正背面图形、可靠性与电学验收，再匹配可核对的工艺资源。

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镀膜加工、PVD 与 ALD 需要准备什么Film deposition needs substrate, process window and acceptance details.

镀膜加工、PVD、蒸发、溅射、ALD 薄膜需求准备：确认材料、膜厚、附着层、基底耐温、已有膜层、均匀性、台阶覆盖和后续测试验收。

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薄膜应力与晶圆翘曲测量：送样与验收Thin-film stress and wafer curvature measurement

薄膜残余应力与晶圆曲率测量评估：镀膜前后基线、基底厚度、膜厚、Stoney公式适用边界与报告验收。

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TLM接触电阻测试与比接触电阻率：送样与验收TLM contact resistance and specific contact resistivity

TLM接触电阻测试送样指南：电极间距与宽度、欧姆接触检查、线性拟合、比接触电阻率换算条件及报告验收。

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ToF-SIMS 深度剖析ToF-SIMS depth profiling starts with target ions, interfaces and a depth scale.

ToF-SIMS 飞行时间二次离子质谱深度剖析需求准备：整理材料栈、目标元素或分子、测区、深度范围、溅射条件、对照样和原始数据交付。

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TSV 硅通孔工艺需求怎么准备For TSV, turn via formation, isolation and interconnect into an acceptance-ready process chain.

TSV 硅通孔工艺需求准备：先明确通孔尺寸、硅片厚度、DRIE 深宽比、绝缘衬层、阻挡层/种子层、金属填充、背面减薄、凸点或再布线，以及截面和电学验收。

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晶圆键合加工Wafer bonding yield is often decided before the wafers enter the bonder.

晶圆键合加工需求准备：面向硅硅、硅玻璃、阳极键合、直接键合和低温键合，整理材料组合、片径、表面、对准、空腔、温度和泄漏验收。

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晶圆切割与划片加工Wafer dicing starts with the material, streets and device-protection boundary.

晶圆切割与划片加工需求准备：面向硅片、玻璃、陶瓷和带器件晶圆，整理材料、厚度、划片道、芯片尺寸、崩边、保护清洗和交付方式。

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晶圆级封装怎么准备For wafer-level packaging, separate wafer condition, interconnect, thermo-mechanical limits and test path first.

晶圆级封装（WLP）项目需求准备：梳理晶圆尺寸与厚度、I/O 与 RDL、凸点或 TSV、键合/塑封、翘曲、切割、测试和可靠性边界，再匹配封装与测试资源。

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晶圆减薄与 CMP 抛光加工Wafer thinning and CMP start with target thickness, flatness and surface quality.

晶圆减薄与 CMP 抛光加工需求准备：整理晶圆材料、初始与目标厚度、TTV、表面粗糙度、翘曲、正面保护、清洗和验收方式。

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湿法刻蚀加工Wet etching starts with material, crystal orientation, mask and undercut limits.

湿法刻蚀加工需求准备：面向硅、二氧化硅、氮化硅与金属腐蚀，整理材料栈、腐蚀液、深度、晶向、掩膜、选择比与验收方式。

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白光干涉三维形貌测量：台阶、粗糙度与面形验收White-light interferometry for 3D topography

白光干涉仪、光学轮廓仪与三维形貌测量需求准备：明确样品反射特性、可测区域、视场与物镜、台阶或粗糙度指标、测点图、拼接需求和数据交付，再匹配表征资源。

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引线键合封装怎么准备For wire bonding, define pads, interconnect, test and delivery boundaries together.

引线键合（Wire Bonding）封装需求准备：整理芯片与基板、焊盘金属、金线或铝线、键合方式、腔体、温度限制、电学测试与可靠性验收，再匹配封装测试资源。

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XPS 表面成分分析XPS surface analysis starts with target elements, chemical states and sample history.

XPS 表面成分与化学态分析需求准备：整理样品材料、目标元素、谱图范围、荷电校正、峰拟合、溅射深度剖析、对照组和原始数据交付。

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